MT54V512H36EF-6

MT54V512H36EF-6
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部品番号 MT54V512H36EF-6
LIXINC Part # MT54V512H36EF-6
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル MT54V512H36EF-6 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 06 - Oct 10 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT54V512H36EF-6 仕様

部品番号:MT54V512H36EF-6
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:QDR™
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
メモリータイプ:Volatile
メモリフォーマット:SRAM
テクノロジー:SRAM - Quad Port, Synchronous
メモリー容量:18Mb (512K x 36)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:167 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
アクセス時間:-
電圧 - 供給:2.4V ~ 2.6V
動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:165-TBGA
サプライヤー デバイス パッケージ:165-FBGA (13x15)

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