参考まで
| 部品番号: | CY7C1371D-100AXC |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | NoBL™ |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Obsolete |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Synchronous, SDR |
| メモリー容量: | 18Mb (512K x 36) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | 100 MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | 8.5 ns |
| 電圧 - 供給: | 3.135V ~ 3.6V |
| 動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 100-LQFP |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 100-TQFP (14x20) |
 |
IS46TR16128DL-125KBLA2 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA | 925 注文の詳細 |
 |
74F219SJ | STANDARD SRAM, 16X4, 27NS, TTL | 1168 注文の詳細 |
 |
71V3556SA100BGG | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA | 809 注文の詳細 |
 |
IS42S16800F-6TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | 998 注文の詳細 |
 |
70V3379S6BC | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | 901 注文の詳細 |
 |
AS62V256A-70SIN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP | 863 注文の詳細 |
 |
MT53D512M32D2DS-053 AUT:D TR | IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGA | 816 注文の詳細 |
 |
TC58CYG0S3HRAIG | IC FLASH 2GBIT SPI 104MHZ 8WSON | 870 注文の詳細 |
 |
11AA040-I/MS | IC EEPROM 4KBIT SGL WIRE 8MSOP | 813 注文の詳細 |
 |
S29GL01GT12TFM023 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP | 855 注文の詳細 |
 |
CY7C0837AV-167BBC | DUAL-PORT SRAM, 32KX18, 4NS | 1294 注文の詳細 |
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MT53D512M32D2DS-046 IT:D TR | IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA | 959 注文の詳細 |
 |
IS21ES16G-JCLI | IC FLASH 128GBIT EMMC 153VFBGA | 828 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10833 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $24.67000 | $24.67 |
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