参考まで
| 部品番号 | MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR |
| LIXINC Part # | MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR |
| メーカー | Micron Technology |
| カテゴリー | 集積回路 › メモリー |
| 説明 | IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jul 05 - Jul 09 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR |
| ブランド: | Micron Technology |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Micron Technology |
| シリーズ: | Automotive, AEC-Q100 |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | DRAM |
| テクノロジー: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| メモリー容量: | 4Gb (128M x 32) |
| メモリ インターフェイス: | - |
| クロック周波数: | 1.866 GHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | - |
| 電圧 - 供給: | 1.1V |
| 動作温度: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 200-WFBGA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 200-WFBGA (10x14.5) |
 |
S29CD016J0MFAM010 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80FBGA | 891 注文の詳細 |
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71T75902S75PFGI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP | 834 注文の詳細 |
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AT27C010-70JU-T | IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC | 1595 注文の詳細 |
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70V3379S4BCG | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | 878 注文の詳細 |
 |
CY7C1470V25-167BZC | ZBT SRAM, 2MX36, 3.4NS, CMOS, PB | 1086 注文の詳細 |
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70V3569S5BF8 | IC SRAM 576KBIT PAR 208CABGA | 864 注文の詳細 |
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71V416S12BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | 839 注文の詳細 |
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CY7C09199V-6AC | DUAL-PORT SRAM, 128KX9, 15NS | 948 注文の詳細 |
 |
NMC2148HJ-2 | STANDARD SRAM, 1KX4 | 4882 注文の詳細 |
 |
IS42S81600F-7TL | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | 895 注文の詳細 |
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CY7C1462SV25-200AXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP | 940 注文の詳細 |
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NM24C04VM8 | IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8SO | 964 注文の詳細 |
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PC28F512M29EWHD | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA | 1571 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10826 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $7.09500 | $7.095 |
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