TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6
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部品番号 TC58BYG2S0HBAI6
LIXINC Part # TC58BYG2S0HBAI6
メーカー Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル TC58BYG2S0HBAI6 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TC58BYG2S0HBAI6 仕様

部品番号:TC58BYG2S0HBAI6
ブランド:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
シリーズ:Benand™
パッケージ:Tray
部品の状態:Active
メモリータイプ:Non-Volatile
メモリフォーマット:FLASH
テクノロジー:FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量:4Gb (512M x 8)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:25ns
アクセス時間:25 ns
電圧 - 供給:1.7V ~ 1.95V
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:67-VFBGA
サプライヤー デバイス パッケージ:67-VFBGA (6.5x8)

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