CYD18S18V18-200BBAXI

CYD18S18V18-200BBAXI
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部品番号 CYD18S18V18-200BBAXI
LIXINC Part # CYD18S18V18-200BBAXI
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル CYD18S18V18-200BBAXI PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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CYD18S18V18-200BBAXI 仕様

部品番号:CYD18S18V18-200BBAXI
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:-
パッケージ:Tray
部品の状態:Obsolete
メモリータイプ:Volatile
メモリフォーマット:SRAM
テクノロジー:SRAM - Dual Port, Synchronous
メモリー容量:18Mb (1M x 18)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:200 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
アクセス時間:3.3 ns
電圧 - 供給:1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:256-LBGA
サプライヤー デバイス パッケージ:256-FBGA (17x17)

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