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部品番号 | MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR |
LIXINC Part # | MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR |
メーカー | Micron Technology |
カテゴリー | 集積回路 › メモリー |
説明 | IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 18 - Oct 22 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR |
ブランド: | Micron Technology |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Micron Technology |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
メモリータイプ: | Non-Volatile |
メモリフォーマット: | FLASH |
テクノロジー: | FLASH - NAND (TLC) |
メモリー容量: | 512Gb (64G x 8) |
メモリ インターフェイス: | Parallel |
クロック周波数: | 333 MHz |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
アクセス時間: | - |
電圧 - 供給: | 2.5V ~ 3.6V |
動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 132-VBGA |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 132-VBGA (12x18) |
NM24C05LEN | IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8DIP | 1817 注文の詳細 |
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IS61LF51236B-7.5TQLI-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP | 899 注文の詳細 |
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IS43LR16640A-5BLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA | 929 注文の詳細 |
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AS6C4016-55ZINTR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II | 899 注文の詳細 |
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CY7C1423KV18-250BZC | DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS, CMOS, P | 1123 注文の詳細 |
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BR24S128FVT-WE2 | IC EEPROM 128KBIT I2C 8TSSOPB | 3610 注文の詳細 |
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93AA46BT-I/SN | IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8SOIC | 2743 注文の詳細 |
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AS7C1025C-15JINTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | 973 注文の詳細 |
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AS6C4008-55ZIN | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II | 991 注文の詳細 |
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71016S12YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | 916 注文の詳細 |
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CDP68HC68R2E | STANDARD SRAM, 256X8, CMOS, PDIP | 78494 注文の詳細 |
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6116LA20SOGI | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | 2991 注文の詳細 |
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25LC040A-I/ST | IC EEPROM 4KBIT SPI 10MHZ 8TSSOP | 1608 注文の詳細 |
在庫あり | 10871 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $28.96500 | $28.965 |
1000 | $24.74686 | $24746.86 |
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