参考まで
| 部品番号 | MT29F512G08EBHBFJ4-R:B |
| LIXINC Part # | MT29F512G08EBHBFJ4-R:B |
| メーカー | Micron Technology |
| カテゴリー | 集積回路 › メモリー |
| 説明 | IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MT29F512G08EBHBFJ4-R:B PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 19 - Oct 23 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MT29F512G08EBHBFJ4-R:B |
| ブランド: | Micron Technology |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Micron Technology |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Non-Volatile |
| メモリフォーマット: | FLASH |
| テクノロジー: | FLASH - NAND (TLC) |
| メモリー容量: | 512Gb (64G x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | - |
| 電圧 - 供給: | 2.5V ~ 3.6V |
| 動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 132-VBGA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 132-VBGA (12x18) |
 |
NM25C040EN | EEPROM, 512X8, SERIAL PDIP8 | 3330 注文の詳細 |
 |
GS82582DT37GE-450I | IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA | 963 注文の詳細 |
 |
FT24C04A-KNR-T | IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8UDFN | 852 注文の詳細 |
 |
AT45DB321E-MHF-T | IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8UDFN | 927 注文の詳細 |
 |
CY7C1354S-166BGC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA | 1273 注文の詳細 |
 |
SST39SF010A-55-4I-NHE-T | IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC | 1612 注文の詳細 |
 |
CY7C1371C-100BZC | ZBT SRAM, 512KX36, 8.5NS | 842 注文の詳細 |
 |
AS6C62256-55PCN | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP | 1988 注文の詳細 |
 |
CY14B101J2-SXIT | IC NVSRAM 1MBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC | 964 注文の詳細 |
 |
70V3569S4BC8 | IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA | 863 注文の詳細 |
 |
70V25L25PFGI8 | IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP | 825 注文の詳細 |
 |
S29CL016J0JQFM030 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP | 974 注文の詳細 |
 |
71P72804S167BQG | 18MBIT PIPELINED QDRII SRAM | 17695 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10909 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $14.31000 | $14.31 |
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