IS43DR86400E-3DBLI

IS43DR86400E-3DBLI
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部品番号 IS43DR86400E-3DBLI
LIXINC Part # IS43DR86400E-3DBLI
メーカー ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IS43DR86400E-3DBLI PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS43DR86400E-3DBLI 仕様

部品番号:IS43DR86400E-3DBLI
ブランド:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
シリーズ:-
パッケージ:Tray
部品の状態:Active
メモリータイプ:Volatile
メモリフォーマット:DRAM
テクノロジー:SDRAM - DDR2
メモリー容量:512Mb (64M x 8)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:333 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
アクセス時間:450 ns
電圧 - 供給:1.7V ~ 1.9V
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:60-TFBGA
サプライヤー デバイス パッケージ:60-TWBGA (8x10.5)

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