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部品番号 | MT53D512M32D2DS-053 AIT:D |
LIXINC Part # | MT53D512M32D2DS-053 AIT:D |
メーカー | Micron Technology |
カテゴリー | 集積回路 › メモリー |
説明 | IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | MT53D512M32D2DS-053 AIT:D PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 23 - Oct 27 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | MT53D512M32D2DS-053 AIT:D |
ブランド: | Micron Technology |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Micron Technology |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q100 |
パッケージ: | Tray |
部品の状態: | Active |
メモリータイプ: | Volatile |
メモリフォーマット: | DRAM |
テクノロジー: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
メモリー容量: | 16Gb (512M x 32) |
メモリ インターフェイス: | - |
クロック周波数: | 1.866 GHz |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
アクセス時間: | - |
電圧 - 供給: | 1.1V |
動作温度: | -40°C ~ 95°C (TC) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 200-WFBGA |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 200-WFBGA (10x14.5) |
70V7519S166BF8 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA | 854 注文の詳細 |
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71V416L10PHGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II | 1148 注文の詳細 |
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CY62128DV30LL-70SI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC | 2484 注文の詳細 |
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IS25LP016D-JKLE-TR | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON | 1538 注文の詳細 |
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IS65C256AL-25TLA3 | IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I | 819 注文の詳細 |
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BR24T256FVT-WE2 | IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOPB | 5610 注文の詳細 |
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X28C010FM-12 | EEPROM, 128KX8, PARALLEL | 1046 注文の詳細 |
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71V3556SA100BGI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA | 957 注文の詳細 |
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CY7C1460KVE25-250AXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP | 896 注文の詳細 |
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IS45S16160J-6TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 924 注文の詳細 |
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93C46CT-I/MNY | IC EEPROM 1KBIT SPI 3MHZ 8TDFN | 842 注文の詳細 |
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M24C01-RMN6TP | IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SO | 16519 注文の詳細 |
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IS42S83200G-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 826 注文の詳細 |
在庫あり | 11951 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $28.28000 | $28.28 |
1360 | $27.82350 | $37839.96 |
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