参考まで
| 部品番号 | MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR |
| LIXINC Part # | MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR |
| メーカー | Micron Technology |
| カテゴリー | 集積回路 › メモリー |
| 説明 | IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 20 - Oct 24 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR |
| ブランド: | Micron Technology |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Micron Technology |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Non-Volatile |
| メモリフォーマット: | FLASH |
| テクノロジー: | FLASH - NAND (TLC) |
| メモリー容量: | 512Gb (64G x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | 333 MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | - |
| 電圧 - 供給: | 2.5V ~ 3.6V |
| 動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 132-VBGA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 132-VBGA (12x18) |
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BR24T08FVT-WE2 | IC EEPROM 8KBIT I2C 8TSSOPB | 1378 注文の詳細 |
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S-25C256A0I-T8T1U4 | IC EEPROM 256KBIT SPI 8TSSOP | 924 注文の詳細 |
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IS43LR16800G-6BL-TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA | 851 注文の詳細 |
 |
71T75602S166BGG | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA | 899 注文の詳細 |
 |
BQ4013YMA-85 | IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE | 811 注文の詳細 |
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IS64LV25616AL-12BLA3 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA | 956 注文の詳細 |
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CY7C1370BV25-150BGC | ZBT SRAM, 512KX36, 3.8NS | 996 注文の詳細 |
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71V3559S85BQ | IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA | 887 注文の詳細 |
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IS43QR16256B-083RBLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96BGA | 1053 注文の詳細 |
 |
6116SA20SOG | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | 801 注文の詳細 |
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S25FL032P0XBHIS20 | IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 24BGA | 950 注文の詳細 |
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25LC320-E/P | IC EEPROM 32KBIT SPI 2MHZ 8DIP | 999 注文の詳細 |
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IS42VM32160E-6BLI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA | 920 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10830 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $14.38500 | $14.385 |
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