参考まで
| 部品番号 | MT53E256M32D2DS-046 IT:B |
| LIXINC Part # | MT53E256M32D2DS-046 IT:B |
| メーカー | Micron Technology |
| カテゴリー | 集積回路 › メモリー |
| 説明 | IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MT53E256M32D2DS-046 IT:B PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MT53E256M32D2DS-046 IT:B |
| ブランド: | Micron Technology |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Micron Technology |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | DRAM |
| テクノロジー: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| メモリー容量: | 8Gb (256M x 32) |
| メモリ インターフェイス: | - |
| クロック周波数: | 2.133 GHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | - |
| 電圧 - 供給: | 1.1V |
| 動作温度: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 200-WFBGA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 200-WFBGA (10x14.5) |
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CY7C0830AV-167AC | DUAL-PORT SRAM, 64KX18, 4NS | 935 注文の詳細 |
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70T3599S133BFI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA | 971 注文の詳細 |
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AS7C316098A-10BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | 1475 注文の詳細 |
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IS42S32800G-6BLI | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 975 注文の詳細 |
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IS43LQ16256A-062BLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGA | 1015 注文の詳細 |
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23A1024T-I/SN | IC SRAM 1MBIT SPI/QUAD I/O 8SOIC | 862 注文の詳細 |
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MX29GL640EHXFI-70G | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64LFBGA | 829 注文の詳細 |
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MX30LF4G18AC-XKI | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | 10411 注文の詳細 |
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IS43LR16800G-6BLI | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA | 957 注文の詳細 |
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CY7C1347G-250AXC | CACHE SRAM, 128KX36, 2.6NS PQFP1 | 1136 注文の詳細 |
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BR93A66RFVM-WMTR | IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8MSOP | 3972 注文の詳細 |
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CY7C1061GN30-10ZSXI | IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II | 1195 注文の詳細 |
 |
S29JL032J70BHI313 | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA | 877 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10826 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $15.50000 | $15.5 |
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