参考まで
部品番号: | 6116LA55DB |
ブランド: | Renesas Electronics America |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Renesas Electronics America |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tray |
部品の状態: | Active |
メモリータイプ: | Volatile |
メモリフォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM - Asynchronous |
メモリー容量: | 16Kb (2K x 8) |
メモリ インターフェイス: | Parallel |
クロック周波数: | - |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 55ns |
アクセス時間: | 55 ns |
電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
動作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
取付タイプ: | Through Hole |
パッケージ・ケース: | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 24-CDIP |
IS43R86400E-5BL | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | 956 注文の詳細 |
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IS61WV51216BLL-10MLI-TR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA | 832 注文の詳細 |
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24LC024HT-E/SN | IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8SOIC | 888 注文の詳細 |
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S40410161B1B2I010 | IC FLASH 16GBIT PARALLEL 100LBGA | 957 注文の詳細 |
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S25FL256LAGNFB010 | IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON | 949 注文の詳細 |
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CY7C194-20VCT | STANDARD SRAM, 64KX4, 20NS, CMOS | 1977 注文の詳細 |
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DS1225AB-200+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | 111225 注文の詳細 |
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IS42VM32100D-75BLI | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA | 993 注文の詳細 |
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25LC040AT-E/MNY | IC EEPROM 4KBIT SPI 10MHZ 8TDFN | 885 注文の詳細 |
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CY7C1380DV33-200AXI | CACHE SRAM, 512KX36 PQFP100 | 1370 注文の詳細 |
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CY62138CV30LL-55BVI | STANDARD SRAM, 256KX8, 55NS | 972 注文の詳細 |
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S25FS128SAGMFV101 | IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC | 1051 注文の詳細 |
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25C040/P | IC EEPROM 4KBIT SPI 3MHZ 8DIP | 980 注文の詳細 |
在庫あり | 10856 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $16.53300 | $16.533 |
300 | $14.52245 | $4356.735 |
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