参考まで
部品番号: | GS832018AGT-250I |
ブランド: | GSI Technology |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | GSI Technology |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tray |
部品の状態: | Active |
メモリータイプ: | Volatile |
メモリフォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM - Synchronous, Standard |
メモリー容量: | 36Mb (2M x 18) |
メモリ インターフェイス: | Parallel |
クロック周波数: | 250 MHz |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
アクセス時間: | - |
電圧 - 供給: | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V |
動作温度: | -40°C ~ 100°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 100-LQFP |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 100-TQFP (20x14) |
MT58L64L18DT-10 | CACHE SRAM, 64KX18, 5NS PQFP100 | 5905 注文の詳細 |
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MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR | IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA | 907 注文の詳細 |
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MR2A08ACMA35 | IC RAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | 1862 注文の詳細 |
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IS42S32160F-7BL | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA | 914 注文の詳細 |
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CY7C1265KV18-550BZC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA | 1246 注文の詳細 |
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GS8640Z36GT-300I | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100TQFP | 877 注文の詳細 |
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IS61NLF12836A-7.5TQLI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | 952 注文の詳細 |
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HN58V256ATI12E | 256K SERIAL EEPROM | 1138 注文の詳細 |
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11LC020T-E/SN | IC EEPROM 2KBIT SGL WIRE 8SOIC | 887 注文の詳細 |
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S25FL512SDSMFV011 | IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC | 819 注文の詳細 |
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CYDM128B16-55BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | 825 注文の詳細 |
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71V65703S85BGGI8 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA | 857 注文の詳細 |
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BR24T64F-WE2 | IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ 8SOP | 1006 注文の詳細 |
在庫あり | 10935 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $37.15722 | $37.15722 |
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