参考まで
| 部品番号 | MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR |
| LIXINC Part # | MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR |
| メーカー | Micron Technology |
| カテゴリー | 集積回路 › メモリー |
| 説明 | IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 22 - Oct 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR |
| ブランド: | Micron Technology |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Micron Technology |
| シリーズ: | Automotive, AEC-Q100 |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | DRAM |
| テクノロジー: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| メモリー容量: | 12Gb (384M x 32) |
| メモリ インターフェイス: | - |
| クロック周波数: | 1.866 GHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | - |
| 電圧 - 供給: | 1.1V |
| 動作温度: | -40°C ~ 105°C (TC) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 200-WFBGA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 200-WFBGA (10x14.5) |
 |
BR24C04-10TU-1.8 | IC EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOP | 879 注文の詳細 |
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71V67803S133PFI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP | 907 注文の詳細 |
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IS42RM32800E-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 930 注文の詳細 |
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MX25L12845GMI-10G | IC FLSH 128MBIT SPI 120MHZ 16SOP | 886 注文の詳細 |
 |
BR24G16FVJ-3AGTE2 | IC EEPROM 16K I2C 1MHZ 8TSSOP | 3358 注文の詳細 |
 |
AT28C64B-15TU-T | IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28TSOP | 1928 注文の詳細 |
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71V65703S80PF | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP | 941 注文の詳細 |
 |
CY7B145-15JC | DUAL-PORT SRAM, 8KX9, 15NS, | 973 注文の詳細 |
 |
CY7C1370D-250AXC | ZBT SRAM, 512KX36, 2.6NS PQFP100 | 902 注文の詳細 |
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70T659S12BCI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA | 842 注文の詳細 |
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IS42S16400J-7TL | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | 944 注文の詳細 |
 |
CY7C199D-10ZXI | IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I | 855 注文の詳細 |
 |
AS4C4M32S-6BIN | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA | 1407 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10858 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $17.44500 | $17.445 |
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