参考まで
部品番号: | DS1270W-100 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
メモリータイプ: | Non-Volatile |
メモリフォーマット: | NVSRAM |
テクノロジー: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
メモリー容量: | 16Mb (2M x 8) |
メモリ インターフェイス: | Parallel |
クロック周波数: | - |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 100ns |
アクセス時間: | 100 ns |
電圧 - 供給: | 3V ~ 3.6V |
動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
取付タイプ: | Through Hole |
パッケージ・ケース: | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 36-EDIP |
MT58L256L18F1T-8.5IT | CACHE SRAM, 256KX18, 8.5NS PQFP1 | 1725 注文の詳細 |
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AS4C64M32MD2A-25BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | 854 注文の詳細 |
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MT58L256L32PS-6 | CACHE SRAM, 256KX32, 3.5NS PQFP1 | 21977 注文の詳細 |
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AS7C1025B-12TJCNTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | 998 注文の詳細 |
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S25FL064LABMFV000 | IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 16SOIC | 1803 注文の詳細 |
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IS45S16320F-6CTLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | 951 注文の詳細 |
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SST25VF010A-33-4I-ZAE | IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8CSP | 910 注文の詳細 |
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UPD44165182BF5-E50Y-EQ3-A | QDR SRAM, 1MX18, 0.45NS | 872 注文の詳細 |
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IS42RM16800H-6BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA | 920 注文の詳細 |
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CY7C1383B-117AC | STANDARD SRAM, 1MX18 | 1037 注文の詳細 |
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R1LV0108ESF-5SI#S1 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP | 1777 注文の詳細 |
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CY7C024-55AXC | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP | 1775 注文の詳細 |
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CY7C199-20ZI | STANDARD SRAM, 32KX8, 20NS | 20247 注文の詳細 |
在庫あり | 10849 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $170.13000 | $170.13 |
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