参考まで
| 部品番号: | 6116LA150DB |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Asynchronous |
| メモリー容量: | 16Kb (2K x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 150ns |
| アクセス時間: | 150 ns |
| 電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
| 動作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | 24-CDIP (0.600", 15.24mm) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 24-CDIP |
 |
CAT24C256XE | IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC | 21464 注文の詳細 |
 |
70T631S10BF | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA | 837 注文の詳細 |
 |
GS8320Z36AGT-333I | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP | 1007 注文の詳細 |
 |
S25FL127SABMFB101 | IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC | 2427 注文の詳細 |
 |
BR24S16FV-WE2 | IC EEPROM 16KBIT I2C 8SSOPB | 857 注文の詳細 |
 |
S26KL512SDABHN030 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 24FBGA | 809 注文の詳細 |
 |
AS4C64M16D2B-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | 991 注文の詳細 |
 |
25AA640A-E/P | IC EEPROM 64KBIT SPI 10MHZ 8DIP | 939 注文の詳細 |
 |
W947D2HBJX5I TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA | 878 注文の詳細 |
 |
UPD46184095BF1-E40-EQ1-A | DDR SRAM, 2MX9, 0.45NS | 2186 注文の詳細 |
 |
71V416S10PHI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II | 924 注文の詳細 |
 |
CY7C1019CV33-12BVI | STANDARD SRAM, 128KX8 | 1491 注文の詳細 |
 |
GS84018CGT-250I | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 100TQFP | 967 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10823 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $16.53300 | $16.533 |
| 300 | $14.52245 | $4356.735 |
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