参考まで
| 部品番号: | 6116LA20SOGI8 |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Asynchronous |
| メモリー容量: | 16Kb (2K x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 20ns |
| アクセス時間: | 20 ns |
| 電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
| 動作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 24-SOIC |
 |
SST26WF080B-104I/MF | IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8WDFN | 838 注文の詳細 |
 |
71124S12YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | 986 注文の詳細 |
 |
93AA86T/SN | IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8SOIC | 831 注文の詳細 |
 |
CY7C1049CV33-12ZI | STANDARD SRAM | 1023 注文の詳細 |
 |
CY7C1320KV18-250BZXC | DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS PBGA16 | 1316 注文の詳細 |
 |
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | 834 注文の詳細 |
 |
CY7C1570KV18-550BZXC | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA | 1099 注文の詳細 |
 |
24FC16-I/MS | IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8MSOP | 2163 注文の詳細 |
 |
11LC020T-E/TT | IC EEPROM 2KBIT SGL WIRE SOT23-3 | 951 注文の詳細 |
 |
TMS27PC256-2NL | OTP ROM, 32KX8, 200NS PDIP28 | 5133 注文の詳細 |
 |
DS28E10R+T | IC EPROM 224B 1-WIRE SOT23-3 | 825 注文の詳細 |
 |
71V3557S80PF | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | 869 注文の詳細 |
 |
S-25C160A0I-K8T3U3 | IC EEPROM 16KBIT SPI 5MHZ 8TMSOP | 4962 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10913 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $4.04140 | $4.0414 |
| 1000 | $3.54981 | $3549.81 |
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