参考まで
| 部品番号 | MT53D512M32D2DS-053 AAT:D |
| LIXINC Part # | MT53D512M32D2DS-053 AAT:D |
| メーカー | Micron Technology |
| カテゴリー | 集積回路 › メモリー |
| 説明 | IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MT53D512M32D2DS-053 AAT:D PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 24 - Oct 28 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MT53D512M32D2DS-053 AAT:D |
| ブランド: | Micron Technology |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Micron Technology |
| シリーズ: | Automotive, AEC-Q100 |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | DRAM |
| テクノロジー: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| メモリー容量: | 16Gb (512M x 32) |
| メモリ インターフェイス: | - |
| クロック周波数: | 1.866 GHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | - |
| 電圧 - 供給: | 1.1V |
| 動作温度: | -40°C ~ 105°C (TC) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 200-WFBGA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 200-WFBGA (10x14.5) |
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CY7C1318CV18-200BZI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA | 1299 注文の詳細 |
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IS61QDB21M18A-250B4LI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA | 928 注文の詳細 |
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S25FL129P0XMFI001 | IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC | 880 注文の詳細 |
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AT25DF256-XMHN-B | IC FLASH 256KBIT SPI 8TSSOP | 804 注文の詳細 |
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P2114A5 | STANDARD SRAM, 1KX4 | 7070 注文の詳細 |
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CY7C1415TV18-200BZI | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA | 1199 注文の詳細 |
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GS81302DT20GE-500I | IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA | 997 注文の詳細 |
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71V256SA15YGI8 | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | 855 注文の詳細 |
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S25FL128LAGBHM020 | IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA | 917 注文の詳細 |
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S29GL512S12DHIV20 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA | 881 注文の詳細 |
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93LC66AXT-I/SN | IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8SOIC | 814 注文の詳細 |
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93C46C-E/ST | IC EEPROM 1KBIT SPI 3MHZ 8TSSOP | 830 注文の詳細 |
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CY7C1460KVE33-167BZC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA | 992 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10852 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $30.30000 | $30.3 |
| 1360 | $30.10163 | $40938.2168 |
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