IS61QDP2B21M18A-333M3L

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部品番号 IS61QDP2B21M18A-333M3L
LIXINC Part # IS61QDP2B21M18A-333M3L
メーカー ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IS61QDP2B21M18A-333M3L PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 26 - Oct 30 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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IS61QDP2B21M18A-333M3L 仕様

部品番号:IS61QDP2B21M18A-333M3L
ブランド:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
シリーズ:-
パッケージ:Tray
部品の状態:Active
メモリータイプ:Volatile
メモリフォーマット:SRAM
テクノロジー:SRAM - Synchronous, QUADP
メモリー容量:18Mb (1M x 18)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:333 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
アクセス時間:8.4 ns
電圧 - 供給:1.71V ~ 1.89V
動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:165-LBGA
サプライヤー デバイス パッケージ:165-LFBGA (15x17)

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