参考まで
| 部品番号 | UPD44165182BF5-E40-EQ3 |
| LIXINC Part # | UPD44165182BF5-E40-EQ3 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | 集積回路 › メモリー |
| 説明 | QDR SRAM, 1MX18, 0.45NS |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | UPD44165182BF5-E40-EQ3 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 28 - Nov 01 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | UPD44165182BF5-E40-EQ3 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | - |
| メモリフォーマット: | - |
| テクノロジー: | - |
| メモリー容量: | - |
| メモリ インターフェイス: | - |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | - |
| 電圧 - 供給: | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
 |
IS43DR86400C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA | 976 注文の詳細 |
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6116LA120DB | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP | 821 注文の詳細 |
 |
FM24C03UFM8 | IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SO | 926 注文の詳細 |
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71V016SA12BFG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA | 6888 注文の詳細 |
 |
24LC01BHT-E/ST | IC EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP | 929 注文の詳細 |
 |
24LC128-I/SN | IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC | 3079 注文の詳細 |
 |
W9725G6KB-25 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | 1004 注文の詳細 |
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SN74LS170N | STANDARD SRAM, 4X4, 45NS, TTL | 7093 注文の詳細 |
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24C00T-E/OT | IC EEPROM 128B I2C SOT23-5 | 983 注文の詳細 |
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71V256SA15YG | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | 1436 注文の詳細 |
 |
SST39VF020-70-4C-WHE | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32TSOP | 1764 注文の詳細 |
 |
CAT25320HU4I-GT3 | IC EEPROM 32KBIT SPI 10MHZ 8UDFN | 30880 注文の詳細 |
 |
CY7C1568KV18-400BZC | DDR SRAM, 4MX18, 0.45NS, CMOS, P | 1219 注文の詳細 |
| 在庫あり | 19443 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $31.90000 | $31.9 |
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