R1RW0408DGE-2PR#B1

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部品番号 R1RW0408DGE-2PR#B1
LIXINC Part # R1RW0408DGE-2PR#B1
メーカー Renesas Electronics America
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル R1RW0408DGE-2PR#B1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

R1RW0408DGE-2PR#B1 仕様

部品番号:R1RW0408DGE-2PR#B1
ブランド:Renesas Electronics America
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Renesas Electronics America
シリーズ:-
パッケージ:Tube
部品の状態:Active
メモリータイプ:Volatile
メモリフォーマット:SRAM
テクノロジー:SRAM
メモリー容量:4Mb (512K x 8)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:12ns
アクセス時間:12 ns
電圧 - 供給:3V ~ 3.6V
動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
サプライヤー デバイス パッケージ:36-SOJ

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