MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

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部品番号 MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
LIXINC Part # MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
メーカー Micron Technology
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 28 - Nov 01 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR 仕様

部品番号:MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
ブランド:Micron Technology
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Micron Technology
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Active
メモリータイプ:Non-Volatile
メモリフォーマット:FLASH
テクノロジー:FLASH - NAND
メモリー容量:512Gb (64G x 8)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:333 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
アクセス時間:-
電圧 - 供給:2.5V ~ 3.6V
動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:132-VBGA
サプライヤー デバイス パッケージ:132-VBGA (12x18)

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