参考まで
| 部品番号: | 7026S35J8 |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Obsolete |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| メモリー容量: | 256Kb (16K x 16) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 35ns |
| アクセス時間: | 35 ns |
| 電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
| 動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 84-LCC (J-Lead) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 84-PLCC (29.21x29.21) |
 |
70V06S25PF8 | IC SRAM 128KBIT PARALLEL 64TQFP | 929 注文の詳細 |
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IDT71V256SA15PZI | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP | 932 注文の詳細 |
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CY7C199CNL-15VXCT | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ | 971 注文の詳細 |
 |
W9825G6JH-6I | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | 983 注文の詳細 |
 |
IS49NLS96400-33BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | 899 注文の詳細 |
 |
MT29F256G08EFEBBWP-M:B TR | IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I | 918 注文の詳細 |
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MT47H64M8B6-5E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | 870 注文の詳細 |
 |
IS42VM16800G-75BLI | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA | 958 注文の詳細 |
 |
70V27S15PF8 | IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP | 927 注文の詳細 |
 |
AT25010-10PI | IC EEPROM 1KBIT SPI 3MHZ 8DIP | 887 注文の詳細 |
 |
AT24C11N-10SU-2.7-T | IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8SOIC | 994 注文の詳細 |
 |
IDT71V3558S100BG8 | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA | 937 注文の詳細 |
 |
AT24C21-10PI-2.5 | IC EEPROM 1KBIT I2C 100KHZ 8DIP | 933 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10842 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
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