6116LA35TDB

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部品番号 6116LA35TDB
LIXINC Part # 6116LA35TDB
メーカー Renesas Electronics America
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル 6116LA35TDB PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

6116LA35TDB 仕様

部品番号:6116LA35TDB
ブランド:Renesas Electronics America
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Renesas Electronics America
シリーズ:-
パッケージ:Tray
部品の状態:Active
メモリータイプ:Volatile
メモリフォーマット:SRAM
テクノロジー:SRAM - Asynchronous
メモリー容量:16Kb (2K x 8)
メモリ インターフェイス:Parallel
クロック周波数:-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:35ns
アクセス時間:35 ns
電圧 - 供給:4.5V ~ 5.5V
動作温度:-55°C ~ 125°C (TA)
取付タイプ:Through Hole
パッケージ・ケース:24-CDIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤー デバイス パッケージ:24-CDIP

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