参考まで
| 部品番号: | 5962-8687514XA |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| メモリー容量: | 8Kb (1K x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 70ns |
| アクセス時間: | 70 ns |
| 電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
| 動作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | 48-DIP (0.600", 15.24mm) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 48-SIDE BRAZED |
|
MT29F4T08EULCEM4-R:C | IC FLASH 4TB PARALLEL | 940 注文の詳細 |
|
MT25QL02GCBB8E12-0AUT TR | IC FLSH 2GBIT SPI 133MHZ 24TPBGA | 826 注文の詳細 |
|
7026L20JGI8 | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PLCC | 805 注文の詳細 |
|
CY7C1354A200BC | 256KX36/512K X 18 PIPELINED SRAM | 965 注文の詳細 |
|
W9864G2JH-6 TR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | 951 注文の詳細 |
|
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E | IC DRAM 48GBIT 1866MHZ 556VFBGA | 856 注文の詳細 |
|
MT41J128M16JT-107G:K | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA | 936 注文の詳細 |
|
MT53E2DBDS-DC TR | LPDDR4 4G DDP | 887 注文の詳細 |
|
71V016SA15BFI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA | 912 注文の詳細 |
|
R1EX24064ATA00A#S0 | EEPROM, 8KX8, SERIAL | 78959 注文の詳細 |
|
MT40A1G8SA-062E AUT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | 940 注文の詳細 |
|
MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR | IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA | 919 注文の詳細 |
|
MX25U3235FBAI-10G | IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 104MHZ | 844 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10812 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $105.44375 | $105.44375 |
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