参考まで
| 部品番号 | MT29F512G08EBLCEJ4-R:C |
| LIXINC Part # | MT29F512G08EBLCEJ4-R:C |
| メーカー | Micron Technology |
| カテゴリー | 集積回路 › メモリー |
| 説明 | IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MT29F512G08EBLCEJ4-R:C PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MT29F512G08EBLCEJ4-R:C |
| ブランド: | Micron Technology |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Micron Technology |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Non-Volatile |
| メモリフォーマット: | FLASH |
| テクノロジー: | FLASH - NAND (TLC) |
| メモリー容量: | 512Gb (64G x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | - |
| 電圧 - 供給: | 2.6V ~ 3.6V |
| 動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 132-VBGA |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 132-VBGA (12x18) |
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DS1265AB-100+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | 968 注文の詳細 |
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S29PL064J60BFI070 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA | 941 注文の詳細 |
|
7027L35G | IC SRAM 512KBIT PARALLEL 108PGA | 886 注文の詳細 |
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CG6252AAT | SPECIAL | 832 注文の詳細 |
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MT53E4D1CDE-DC TR | SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | 938 注文の詳細 |
|
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | 874 注文の詳細 |
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5962-8700201UA | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 48LCC | 927 注文の詳細 |
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MT28EW128ABA1HPN-0SIT TR | IC FLSH 128MBIT PARALLEL 56VFBGA | 867 注文の詳細 |
|
5962-9161706MXA | IC SRAM 128KBIT PARALLEL 84PGA | 970 注文の詳細 |
|
AS4C256M16D4-75BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA | 1023 注文の詳細 |
|
MX66L51255FMI-10G | IC FLASH 512MBIT | 856 注文の詳細 |
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MD27C64-20/B | 64K (8K X 8) EPROM | 1913 注文の詳細 |
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5962-8687502XA | IC SRAM 8KBIT PARALLEL SB48 | 811 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10811 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $14.40000 | $14.4 |
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