TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6
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部品番号 TH58BYG3S0HBAI6
LIXINC Part # TH58BYG3S0HBAI6
メーカー Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
カテゴリー 集積回路メモリー
説明 IC FLASH 8GBIT 67VFBGA
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル TH58BYG3S0HBAI6 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TH58BYG3S0HBAI6 仕様

部品番号:TH58BYG3S0HBAI6
ブランド:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:集積回路
サブカテゴリ:メモリー
メーカー:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
シリーズ:Benand™
パッケージ:Tray
部品の状態:Active
メモリータイプ:Non-Volatile
メモリフォーマット:FLASH
テクノロジー:FLASH - NAND (SLC)
メモリー容量:8Gb (1G x 8)
メモリ インターフェイス:-
クロック周波数:-
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:25ns
アクセス時間:-
電圧 - 供給:1.7V ~ 1.95V
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:67-VFBGA
サプライヤー デバイス パッケージ:67-VFBGA (6.5x8)

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