参考まで
| 部品番号: | 6116LA150TDB |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Asynchronous |
| メモリー容量: | 16Kb (2K x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 150ns |
| アクセス時間: | 150 ns |
| 電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
| 動作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 24-CDIP |
|
AM27S33/BYA | IC PROM 4KBIT PAR 18CFLATPACK | 1444 注文の詳細 |
|
S29GL01GT11TFIV33 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP | 894 注文の詳細 |
|
5962-9161704MXA | IC SRAM 128KBIT PARALLEL 84PGA | 910 注文の詳細 |
|
R1EX24064ATAS0A#RS | EEPROM, 8KX8, SERIAL | 24993 注文の詳細 |
|
GVT1256G18T-5T | STANDARD SRAM, 256KX18 | 19097 注文の詳細 |
|
CAV24C512HU5EGT3 | IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8UDFN | 861 注文の詳細 |
|
HN58X2508TIAG#S0 | SPI 8K EEPROM (1024 X 8-BIT) | 3844 注文の詳細 |
|
PF28F1604C3BD70 | MEMORY CIRCUIT, 2MX16, CMOS, PBG | 6210 注文の詳細 |
|
70P249L65BYGI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100CABGA | 955 注文の詳細 |
|
R1LP0408CSC-5SI#D0 | STANDARD SRAM, 512KX8, 55NS | 16597 注文の詳細 |
|
CY7C1380D-167AXCB | 18-MBIT (512K X 36/1M X 18) SRAM | 1291 注文の詳細 |
|
MTFC16GAKAEEF-AAT TR | IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGA | 843 注文の詳細 |
|
CDAC374M96 | CDAC374M96 | 857 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10974 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $16.53300 | $16.533 |
| 300 | $14.52245 | $4356.735 |
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