参考まで
| 部品番号: | 5962-3829417MZA |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Synchronous |
| メモリー容量: | 64Kb (8K x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 20ns |
| アクセス時間: | 19 ns |
| 電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
| 動作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 28-CDIP |
|
S72XS256RE0AHBH23 | IC FLASH RAM 256MBIT PAR 133FBGA | 870 注文の詳細 |
|
AS4C256M16MD4-062BAN | IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA | 1586 注文の詳細 |
|
TH58BVG2S3HBAI6 | IC FLASH 4G 67VFBGA | 966 注文の詳細 |
|
CG6227AA | SPECIAL | 922 注文の詳細 |
|
GVT71128E36T-10T | SRAM CHIP SYNC SINGLE 3.3V 4M BI | 4493 注文の詳細 |
|
HN58V256AFPI12E | 256K SERIAL EEPROM | 831 注文の詳細 |
|
MTFC4GLGDQ-AIT A | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | 1000 注文の詳細 |
|
AS4C256M16D4-83BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA | 1000 注文の詳細 |
|
TMS6287-45N | STANDARD SRAM, 128KX8, 85NS, PDI | 82158 注文の詳細 |
|
GD25LE16CLIGR | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 21WLCSP | 865 注文の詳細 |
|
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A | TLC 256G 32GX8 VBGA | 876 注文の詳細 |
|
7006S35G | IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PGA | 890 注文の詳細 |
|
7005S25G | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PGA | 825 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10937 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $23.11278 | $23.11278 |
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