参考まで
部品番号: | 71256L35TDB |
ブランド: | Renesas Electronics America |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Renesas Electronics America |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
メモリータイプ: | Volatile |
メモリフォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM - Asynchronous |
メモリー容量: | 256Kb (32K x 8) |
メモリ インターフェイス: | Parallel |
クロック周波数: | - |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 35ns |
アクセス時間: | 35 ns |
電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
動作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
取付タイプ: | Through Hole |
パッケージ・ケース: | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 28-CDIP |
7133LA70G | IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PGA | 950 注文の詳細 |
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S29PL032J55BFI073 | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56FBGA | 940 注文の詳細 |
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CG7612AA | SPECIAL | 949 注文の詳細 |
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AM27C256-90DM/B | MEMORY (EPROM) | 931 注文の詳細 |
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CG7765AA | SPECIAL | 982 注文の詳細 |
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CY7C199C-20ZIT | STANDARD SRAM, 32KX8, 20NS | 2167 注文の詳細 |
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CG7471KGA | SPECIAL | 869 注文の詳細 |
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MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | 829 注文の詳細 |
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MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B TR | IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA | 994 注文の詳細 |
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GVT71128E36T-7T | SRAM 3.3V 4M-BIT 128K X 32 7.5NS | 8612 注文の詳細 |
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CAT93C86SIT-QC | IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8SOIC | 10894 注文の詳細 |
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06K4626 | 8MB SRAM CMOS6X CMOS6X1 CHINOOK | 933 注文の詳細 |
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MT40A1G8SA-062E IT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | 834 注文の詳細 |
在庫あり | 10954 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
暖かいヒント: 以下のフォームに記入してください。できるだけ早くご連絡いたします。
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $29.39200 | $29.392 |
130 | $25.81341 | $3355.7433 |
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