参考まで
部品番号: | 71256S45TDB |
ブランド: | Renesas Electronics America |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | 集積回路 |
サブカテゴリ: | メモリー |
メーカー: | Renesas Electronics America |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
メモリータイプ: | Volatile |
メモリフォーマット: | SRAM |
テクノロジー: | SRAM - Asynchronous |
メモリー容量: | 256Kb (32K x 8) |
メモリ インターフェイス: | Parallel |
クロック周波数: | - |
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 45ns |
アクセス時間: | 45 ns |
電圧 - 供給: | 4.5V ~ 5.5V |
動作温度: | -55°C ~ 125°C (TA) |
取付タイプ: | Through Hole |
パッケージ・ケース: | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 28-CDIP |
MT61K256M32JE-12:A TR | IC RAM 8GBIT PARALLEL 180FBGA | 863 注文の詳細 |
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SM662GXA-ACS | FERRI-EMMC BGA 100-B EMMC 5.0 ML | 904 注文の詳細 |
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6116LA20TDB | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP | 890 注文の詳細 |
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IS43DR16128C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | 863 注文の詳細 |
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71V016SA15BFGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA | 871 注文の詳細 |
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NM93C46ALMT8 | EEPROM, 64X16, SERIAL, CMOS | 901 注文の詳細 |
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CAT24C05TDGI-T3 | IC EEPROM 4KBIT I2C TSOT23-5 | 3902 注文の詳細 |
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GS8321Z36GE-166IV | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA | 832 注文の詳細 |
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MT53E2DCDS-DC TR | LPDDR4 0 FBGA QDP | 941 注文の詳細 |
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MT29F1G16ABBFAH4-AATES:F | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | 975 注文の詳細 |
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MT47H64M16NF-187E:M | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | 924 注文の詳細 |
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CG6476AA | SPECIAL | 882 注文の詳細 |
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5962-3829406MZA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | 874 注文の詳細 |
在庫あり | 10918 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $29.39200 | $29.392 |
130 | $25.81341 | $3355.7433 |
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