参考まで
| 部品番号: | 70V06S45J |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tube |
| 部品の状態: | Obsolete |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| メモリー容量: | 128Kb (16K x 8) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 45ns |
| アクセス時間: | 45 ns |
| 電圧 - 供給: | 3V ~ 3.6V |
| 動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 68-LCC (J-Lead) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 68-PLCC (24.21x24.21) |
|
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA | 931 注文の詳細 |
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MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95E | ALL IN ONE MCP 72G | 860 注文の詳細 |
|
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT | IC FLASH 512MBIT SPI 16SOP2 | 950 注文の詳細 |
|
MT47R512M4EB-25E:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA | 978 注文の詳細 |
|
MT49H16M36BM-25:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA | 992 注文の詳細 |
|
MT47H256M4CF-25E:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | 986 注文の詳細 |
|
MT53E512M64D4NW-046 WT:E | LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP | 986 注文の詳細 |
|
M29F400BT70M1 | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | 862 注文の詳細 |
|
70V9199L7PFI8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP | 820 注文の詳細 |
|
S99GL512S0070 | IC FLASH | 993 注文の詳細 |
|
70V07S55J | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PLCC | 879 注文の詳細 |
|
MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M | IC FLASH 128GBIT PARALLEL | 820 注文の詳細 |
|
EDF4432ACPE-GD-F-D | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 800MHZ | 819 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10975 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
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