参考まで
| 部品番号: | W29N01HVSIAA |
| ブランド: | Winbond Electronics Corporation |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Winbond Electronics Corporation |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Active |
| メモリータイプ: | - |
| メモリフォーマット: | - |
| テクノロジー: | - |
| メモリー容量: | - |
| メモリ インターフェイス: | - |
| クロック周波数: | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | - |
| 電圧 - 供給: | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
|
IS42S16320D-6BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA | 994 注文の詳細 |
|
MT49H16M36BM-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA | 807 注文の詳細 |
|
MT42L128M32D1LF-25 WT:A TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168FBGA | 845 注文の詳細 |
|
16-1011421-01-T | IC GATE NAND | 930 注文の詳細 |
|
CG8170AAT | IC PSOC1 | 829 注文の詳細 |
|
MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL | 819 注文の詳細 |
|
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR | IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA | 963 注文の詳細 |
|
580536-002-00 | IC FLASH NOR | 987 注文の詳細 |
|
25AA080A-I/S15K | IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ DIE | 864 注文の詳細 |
|
MT49H32M9FM-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | 911 注文の詳細 |
|
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A | IC FLASH 512GBIT PAR 132LBGA | 886 注文の詳細 |
|
MT47H512M4EB-25E:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA | 897 注文の詳細 |
|
CG8404AAT | IC SRAM ASYNC 32SOJ | 981 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10958 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
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