参考まで
| 部品番号 | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C |
| LIXINC Part # | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C |
| メーカー | Micron Technology |
| カテゴリー | 集積回路 › メモリー |
| 説明 | IC DRAM 32GBIT 1600MHZ FBGA |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 26 - Oct 30 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C |
| ブランド: | Micron Technology |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Micron Technology |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tray |
| 部品の状態: | Obsolete |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | DRAM |
| テクノロジー: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| メモリー容量: | 32Gb (512M x 64) |
| メモリ インターフェイス: | - |
| クロック周波数: | 1.6 GHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | - |
| 電圧 - 供給: | 1.1V |
| 動作温度: | -30°C ~ 85°C (TC) |
| 取付タイプ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
|
MT29F32G08AECCBH1-10:C TR | IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA | 910 注文の詳細 |
|
S99-50031 | IC MEMORY NOR | 894 注文の詳細 |
|
S99GL256P10FFI010 | IC FLASH MEMORY NOR | 919 注文の詳細 |
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CP9105ATT | IC MODULE SMD | 848 注文の詳細 |
|
24CS512T-I/MUY | 512K 3.4MHZ I2C SERIAL EEPROM | 940 注文の詳細 |
|
11AA040-I/S16K | IC EEPROM 4KBIT SINGLE WIRE DIE | 940 注文の詳細 |
|
AT49BV8192AT-11CI | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48CBGA | 911 注文の詳細 |
|
7130SA35JI | IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PLCC | 975 注文の詳細 |
|
EDFP112A3PD-GD-F-R TR | IC DRAM 24GBIT PARALLEL 800MHZ | 889 注文の詳細 |
|
CH376-80033 | IC FLASH NOR | 846 注文の詳細 |
|
SST26VF032BT-104V/SM70SVAO | IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIJ | 854 注文の詳細 |
|
M27C1001-12C1TR | IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32PLCC | 994 注文の詳細 |
|
CY62167ESL-55FNXIT | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 60WLCSP | 990 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10801 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
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