参考まで
| 部品番号: | 70T3589S133DR8 |
| ブランド: | Renesas Electronics America |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | 集積回路 |
| サブカテゴリ: | メモリー |
| メーカー: | Renesas Electronics America |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
| 部品の状態: | Obsolete |
| メモリータイプ: | Volatile |
| メモリフォーマット: | SRAM |
| テクノロジー: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| メモリー容量: | 2Mb (64K x 36) |
| メモリ インターフェイス: | Parallel |
| クロック周波数: | 133 MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| アクセス時間: | 4.2 ns |
| 電圧 - 供給: | 2.4V ~ 2.6V |
| 動作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 208-BFQFP |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 208-PQFP (28x28) |
|
S99AL016J70BFI010 | IC FLASH MEMORY NOR | 936 注文の詳細 |
|
MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E | IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA | 963 注文の詳細 |
|
IS42S32800G-6B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | 958 注文の詳細 |
|
24AA08H-I/WF16K | IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ DIE | 899 注文の詳細 |
|
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA | 973 注文の詳細 |
|
MT40A512M16TB-062E IT:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA | 927 注文の詳細 |
|
A2C01566600 A | IC MEMORY FLASH NAND 48-TSOP | 872 注文の詳細 |
|
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR | IC FLASH 4TB PARALLEL 267MHZ | 940 注文の詳細 |
|
MT53D4DBNZ-DC | SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 | 803 注文の詳細 |
|
MT29F1G08ABBEAH4-IT:E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | 816 注文の詳細 |
|
CG7499AAT | IC SRAM NON VOLATILE 48FBGA | 844 注文の詳細 |
|
24AA512/S16K | IC EEPROM 512KBIT I2C 400KHZ DIE | 971 注文の詳細 |
|
CG8690AAT | IC SRAM NON VOLATILE 44TSOP | 881 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10983 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
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