NJVMJD112T4G

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部品番号 NJVMJD112T4G
LIXINC Part # NJVMJD112T4G
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル
説明 POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NP
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル NJVMJD112T4G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NJVMJD112T4G 仕様

部品番号:NJVMJD112T4G
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:-
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
トランジスタタイプ:NPN - Darlington
電流 - コレクター (ic) (最大):2 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大):100 V
vce 飽和 (最大) @ ib、ic:3V @ 40mA, 4A
電流 - コレクタ カットオフ (最大):20µA
DC 電流ゲイン (hfe) (最小) @ ic、vce:1000 @ 2A, 3V
パワー - 最大:20 W
周波数 - 遷移:25MHz
動作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤー デバイス パッケージ:DPAK

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