参考まで
部品番号 | IPZ60R060C7XKSA1 |
LIXINC Part # | IPZ60R060C7XKSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPZ60R060C7XKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IPZ60R060C7XKSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | CoolMOS™ C7 |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 600 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 35A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 60mOhm @ 15.9A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 800µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 68 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2.85 pF @ 400 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 162W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO247-4 |
パッケージ・ケース: | TO-247-4 |
SUM52N20-39P-E3 | MOSFET N-CH 200V 52A TO263 | 951 注文の詳細 |
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IXFH50N20 | MOSFET N-CH 200V 50A TO247AD | 2757 注文の詳細 |
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CSD16570Q5BT | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | 3633 注文の詳細 |
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RM2P60S2 | MOSFET P-CHANNEL 60V 1.9A SOT23 | 908 注文の詳細 |
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DMG7N65SJ3 | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251 | 886 注文の詳細 |
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IRLS4030-7PPBF | IRLS4030 - HEXFET POWER MOSFET | 1126 注文の詳細 |
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IXTP12N65X2 | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 | 2068 注文の詳細 |
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IPP80N08S406AKSA1 | MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3-1 | 77677 注文の詳細 |
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SI7450DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 | 3334 注文の詳細 |
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FQPF28N15 | MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F | 2712 注文の詳細 |
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2SK1445LS | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 14463 注文の詳細 |
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RSR020N06HZGTL | MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3 | 3585 注文の詳細 |
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BUK7E1R8-40E,127 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | 3330 注文の詳細 |
在庫あり | 11042 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.40000 | $4.4 |
240 | $4.40000 | $1056 |
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