参考まで
部品番号 | DMG7N65SJ3 |
LIXINC Part # | DMG7N65SJ3 |
メーカー | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | DMG7N65SJ3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | DMG7N65SJ3 |
ブランド: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101 |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5.5A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 1.4Ohm @ 2.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 25 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±30V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 886 pF @ 50 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 125W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-251 |
パッケージ・ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
IRLS4030-7PPBF | IRLS4030 - HEXFET POWER MOSFET | 1081 注文の詳細 |
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IXTP12N65X2 | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 | 2077 注文の詳細 |
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IPP80N08S406AKSA1 | MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3-1 | 77683 注文の詳細 |
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SI7450DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 | 3320 注文の詳細 |
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FQPF28N15 | MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F | 2895 注文の詳細 |
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2SK1445LS | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 14428 注文の詳細 |
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RSR020N06HZGTL | MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3 | 3709 注文の詳細 |
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BUK7E1R8-40E,127 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | 3381 注文の詳細 |
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BUK9609-75A,118 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 1096 注文の詳細 |
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SIHD3N50D-GE3 | MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA | 2239 注文の詳細 |
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RJK0366DPA-02#J0B | MOSFET N-CH 30V 25A 8WPAK | 5908 注文の詳細 |
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IXFT24N80P | MOSFET N-CH 800V 24A TO268 | 856 注文の詳細 |
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SI1443EDH-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363 | 30656 注文の詳細 |
在庫あり | 10817 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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75 | $0.90493 | $67.86975 |
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