参考まで
部品番号 | FQB20N06LTM |
LIXINC Part # | FQB20N06LTM |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQB20N06LTM PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQB20N06LTM |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 21A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 55mOhm @ 10.5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 13 nC @ 5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 630 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.75W (Ta), 53W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
STFI28N60M2 | MOSFET N-CH 600V 22A I2PAKFP | 984 注文の詳細 |
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NVMFS5C423NLAFT1G | MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN | 997 注文の詳細 |
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FDU8796 | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK | 504925 注文の詳細 |
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IRFR3607PBF | MOSFET N-CH 75V 56A DPAK | 810 注文の詳細 |
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FQU4N50TU-WS | MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK | 855 注文の詳細 |
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NVMFS5833NWFT1G | N-CHANNEL, MOSFET | 5386 注文の詳細 |
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SIHB30N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | 1188 注文の詳細 |
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AOD454A | MOSFET N-CH 40V 20A TO252 | 8306 注文の詳細 |
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STW9N150 | MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3 | 1548 注文の詳細 |
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IRF540 | MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB | 10695 注文の詳細 |
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IPB35N12S3L26ATMA1 | MOSFET N-CH 120V 35A TO263-3-2 | 23871 注文の詳細 |
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IRF830ALPBF | MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK | 1544 注文の詳細 |
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STD3NM60N | MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK | 3227 注文の詳細 |
在庫あり | 10877 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.55000 | $0.55 |
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