参考まで
部品番号 | 3LN01SS-TL-E |
LIXINC Part # | 3LN01SS-TL-E |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 150MA SC81 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | 3LN01SS-TL-E PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | 3LN01SS-TL-E |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 150mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.5V, 4V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.7Ohm @ 80mA, 4V |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 1.58 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 7 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 150mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | SC-81 (SSFP) |
パッケージ・ケース: | SC-81 |
CSD17581Q3AT | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | 2772 注文の詳細 |
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BSO203SP | P-CHANNEL POWER MOSFET | 7430 注文の詳細 |
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IPB120N04S401ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 838 注文の詳細 |
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VN2224N3-G | MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3 | 896 注文の詳細 |
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PHB45NQ15T,118 | MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK | 6268 注文の詳細 |
|
DMP1009UFDFQ-13 | MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN | 805 注文の詳細 |
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IXTP75N10P | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB | 827 注文の詳細 |
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IRF7201TRPBF | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO | 8609 注文の詳細 |
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STO47N60M6 | MOSFET N-CH 600V 36A TOLL | 2830 注文の詳細 |
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AUIRLL2705TR | MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223 | 903 注文の詳細 |
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STFW3N150 | MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT | 1656 注文の詳細 |
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FQD12N20LTM-F085P | MOSFET N-CH 200V 9A TO252 | 900 注文の詳細 |
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IPB80P03P4L07ATMA1 | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 | 819 注文の詳細 |
在庫あり | 88738 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.07000 | $0.07 |
8000 | $0.07000 | $560 |
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