TK39J60W5,S1VQ

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部品番号 TK39J60W5,S1VQ
LIXINC Part # TK39J60W5,S1VQ
メーカー Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル TK39J60W5,S1VQ PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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TK39J60W5,S1VQ 仕様

部品番号:TK39J60W5,S1VQ
ブランド:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:DTMOSIV
パッケージ:Tube
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:38.8A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3.7V @ 1.9mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:135 nC @ 10 V
vgs (最大):±30V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:4100 pF @ 300 V
フェチ機能:Super Junction
消費電力 (最大):270W (Tc)
動作温度:150°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:TO-3P(N)
パッケージ・ケース:TO-3P-3, SC-65-3

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