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TK12A60D(STA4,Q,M)

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部品番号	TK12A60D(STA4,Q,M)
LIXINC Part #	TK12A60D(STA4,Q,M)
メーカー	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリー	ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明	MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	TK12A60D(STA4,Q,M) PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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TK12A60D(STA4,Q,M) 仕様

部品番号:	TK12A60D(STA4,Q,M)
ブランド:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
シリーズ:	π-MOSVII
パッケージ:	Tube
部品の状態:	Active
フェチタイプ:	N-Channel
テクノロジー:	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):	600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:	12A (Ta)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):	10V
(最大) @ id、vgs の rds:	550mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:	4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:	38 nC @ 10 V
vgs (最大):	±30V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:	1800 pF @ 25 V
フェチ機能:	-
消費電力 (最大):	45W (Tc)
動作温度:	150°C (TJ)
取付タイプ:	Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ:	TO-220SIS
パッケージ・ケース:	TO-220-3 Full Pack

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