参考まで
部品番号 | SPB18P06P |
LIXINC Part # | SPB18P06P |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SPB18P06P PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 09 - Oct 13 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SPB18P06P |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | SIPMOS® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 18.7A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 130mOhm @ 13.2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 1mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 28 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 860 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 81.1W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
SIA110DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK | 6075 注文の詳細 |
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AOTF8N80 | MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220-3F | 811 注文の詳細 |
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IPB65R150CFDATMA1 | MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK | 3333 注文の詳細 |
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STB12NM50N | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | 1037 注文の詳細 |
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NTLUS030N03CTAG | MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN | 15844 注文の詳細 |
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AO4443 | MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC | 900 注文の詳細 |
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SPW16N50C3FKSA1 | MOSFET N-CH 560V 16A TO247-3 | 1011 注文の詳細 |
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FDI025N06 | MOSFET N-CH 60V 265A I2PAK | 890 注文の詳細 |
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BFL4037 | MOSFET N-CH 500V 11A TO220FI | 1063 注文の詳細 |
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PXN7R7-25QLJ | PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33 | 3812 注文の詳細 |
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CSD18512Q5BT | MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON | 963 注文の詳細 |
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IPU95R450P7AKMA1 | MOSFET N-CH 950V 14A TO251-3 | 1307 注文の詳細 |
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FDA20N50-F109 | MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN | 3436762 注文の詳細 |
在庫あり | 18251 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.36000 | $0.36 |
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