参考まで
部品番号 | IRFH5255TRPBF |
LIXINC Part # | IRFH5255TRPBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRFH5255TRPBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 10 - Oct 14 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRFH5255TRPBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 15A (Ta), 51A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 6mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.35V @ 25µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 14.5 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 988 pF @ 13 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.6W (Ta), 26W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PQFN (5x6) Single Die |
パッケージ・ケース: | 8-PowerVDFN |
CSD25202W15 | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | 896 注文の詳細 |
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IRL630STRLPBF | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | 1796 注文の詳細 |
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IPLK80R1K4P7ATMA1 | MOSFET 800V TDSON-8 | 838 注文の詳細 |
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IXFN50N120SIC | SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B | 965 注文の詳細 |
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BSC030N03LSG | BSC030N03 - 12V-300V N-CHANNEL P | 901 注文の詳細 |
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UPA2721AGR-E1-AT | N-CHANNEL POWER MOSFET | 330963 注文の詳細 |
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SI4421DY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 10A 8SO | 1819 注文の詳細 |
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NVMFS5C673NLAFT3G | MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN | 945 注文の詳細 |
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STB22N60M6 | MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK | 1104 注文の詳細 |
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2SK3800 | MOSFET N-CH 40V 70A TO220S | 904 注文の詳細 |
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STN3N45K3 | MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223 | 11553 注文の詳細 |
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SI7460DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 | 3996 注文の詳細 |
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IPSA70R1K4P7SAKMA1 | MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 | 1293 注文の詳細 |
在庫あり | 14801 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.45000 | $0.45 |
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