参考まで
部品番号 | IRF8788PBF |
LIXINC Part # | IRF8788PBF |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 24A 8SO |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IRF8788PBF PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | IRF8788PBF |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | HEXFET® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 24A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 2.8mOhm @ 24A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.35V @ 100µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 66 nC @ 4.5 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 5.72 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 2.5W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
SI2328DS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3 | 12353 注文の詳細 |
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HUF76443P3 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3 | 8117 注文の詳細 |
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FDP75N08 | MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3 | 1253 注文の詳細 |
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SI3447CDV-T1-E3 | MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP | 963 注文の詳細 |
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SPU01N60C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 150246 注文の詳細 |
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SVD5867NLT4G | MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3 | 370543357 注文の詳細 |
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NVD5C486NT4G | MOSFET N-CH 40V 9.2A/23A DPAK | 15963 注文の詳細 |
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NTR1P02LT1 | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 | 13410 注文の詳細 |
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SIHB16N50C-E3 | MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK | 1851 注文の詳細 |
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STB60NF06T4 | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | 2716 注文の詳細 |
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FDPF5N50NZ | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F | 1705 注文の詳細 |
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DMN313DLT-7 | MOSFET N-CH 30V 270MA SOT523 | 1089 注文の詳細 |
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IRFR120TRLPBF-BE3 | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | 3861 注文の詳細 |
在庫あり | 10961 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.59000 | $0.59 |
3800 | $0.59000 | $2242 |
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