参考まで
部品番号 | IPB096N03LGATMA1 |
LIXINC Part # | IPB096N03LGATMA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPB096N03LGATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | IPB096N03LGATMA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 35A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 9.6mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.6 pF @ 15 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 42W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | D²PAK (TO-263AB) |
パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
IXFA130N10T | MOSFET N-CH 100V 130A TO263 | 1762 注文の詳細 |
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NTLJS3A18PZTXG | MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN | 26672 注文の詳細 |
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DMP3008SFGQ-7 | MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 | 1019 注文の詳細 |
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SQD40131EL_GE3 | MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA | 3513 注文の詳細 |
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IRFP4468PBF | MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC | 1752 注文の詳細 |
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NTD5867NLT4G | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | 937 注文の詳細 |
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FQA8N80 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 91900 注文の詳細 |
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IRFS3207ZTRRPBF | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 9630 注文の詳細 |
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NTB5605PT4G | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | 4676 注文の詳細 |
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IRLR3114ZPBF | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | 820 注文の詳細 |
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FQA6N80 | MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P | 2541 注文の詳細 |
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HUF75329P3 | MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3 | 4063 注文の詳細 |
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APT1201R4SFLLG | MOSFET N-CH 1200V 9A D3PAK | 906 注文の詳細 |
在庫あり | 10833 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.37336 | $0.37336 |
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