参考まで
| 部品番号 | NTB5605PT4G |
| LIXINC Part # | NTB5605PT4G |
| メーカー | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | NTB5605PT4G PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Oct 07 - Oct 11 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | NTB5605PT4G |
| ブランド: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| シリーズ: | - |
| パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | P-Channel |
| テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 18.5A (Ta) |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 140mOhm @ 8.5A, 5V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 22 nC @ 5 V |
| vgs (最大): | ±20V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1190 pF @ 25 V |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | 88W (Tc) |
| 動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | D2PAK |
| パッケージ・ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
 |
IRLR3114ZPBF | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | 892 注文の詳細 |
 |
FQA6N80 | MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P | 2453 注文の詳細 |
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APT1201R4SFLLG | MOSFET N-CH 1200V 9A D3PAK | 806 注文の詳細 |
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SIRA90DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8 | 12258 注文の詳細 |
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RCJ200N20TL | MOSFET N-CH 200V 20A LPTS | 1622 注文の詳細 |
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FQAF14N30 | MOSFET N-CH 300V 11.4A TO3PF | 1292 注文の詳細 |
 |
DMG301NU-7 | MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23 | 880 注文の詳細 |
| 在庫あり | 14614 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.39000 | $1.39 |
| 800 | $0.69023 | $552.184 |
| 1600 | $0.62370 | $997.92 |
| 2400 | $0.58212 | $1397.088 |
| 5600 | $0.55301 | $3096.856 |
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