参考まで
部品番号 | BSP170PL6327HTSA1 |
LIXINC Part # | BSP170PL6327HTSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSP170PL6327HTSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Oct 08 - Oct 12 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BSP170PL6327HTSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | SIPMOS® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 1.9A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 300mOhm @ 1.9A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 14 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 410 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.8W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-SOT223-4 |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
NVMFS5C406NLT1G | MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN | 1756 注文の詳細 |
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SQ9407EY-T1_BE3 | MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC | 2867 注文の詳細 |
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R6009KNX | MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM | 932 注文の詳細 |
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PMR290XN,115 | MOSFET N-CH 20V 970MA SC75 | 70095 注文の詳細 |
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SFP9610 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 2197 注文の詳細 |
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IRF2907ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK | 912 注文の詳細 |
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IPU80R1K4CEBKMA1 | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 | 23491 注文の詳細 |
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SIHH14N60EF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8 | 1857 注文の詳細 |
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RTQ020N05HZGTR | MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 | 3785 注文の詳細 |
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SI7121DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8 | 2338 注文の詳細 |
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SI8416DB-T2-E1 | MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT | 1026 注文の詳細 |
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PMV75UP,215 | MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB | 2864 注文の詳細 |
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SIS184DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK | 6664 注文の詳細 |
在庫あり | 283292 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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