参考まで
部品番号 | FQP17N08 |
LIXINC Part # | FQP17N08 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FQP17N08 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 22 - Sep 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FQP17N08 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | QFET® |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 80 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 16.5A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 115mOhm @ 8.25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±25V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 450 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 65W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220-3 |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
DMNH6012SPS-13 | MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8 | 5965 注文の詳細 |
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IXTR36P15P | MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 | 1058 注文の詳細 |
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IRFR3410TRPBF | MOSFET N-CH 100V 31A DPAK | 909 注文の詳細 |
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IRFP23N50LPBF | MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3 | 1418 注文の詳細 |
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STH275N8F7-6AG | MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 | 2357 注文の詳細 |
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STI34N65M5 | MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP | 953 注文の詳細 |
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BUK7E4R3-75C,127 | MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK | 1367 注文の詳細 |
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NTP8G206NG | GANFET N-CH 600V 17A TO220-3 | 951 注文の詳細 |
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DMP1012UFDF-13 | MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN | 962 注文の詳細 |
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RF4E100AJTCR | MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8 | 3837 注文の詳細 |
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IXTA08N100D2HV-TRL | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV | 1600 注文の詳細 |
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BSC0904NSIATMA1 | MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON | 903 注文の詳細 |
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FDPF041N06BL1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 | 24766 注文の詳細 |
在庫あり | 13197 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.31000 | $0.31 |
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