参考まで
部品番号 | NTP22N06 |
LIXINC Part # | NTP22N06 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NTP22N06 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Sep 25 - Sep 29 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NTP22N06 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 22A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 60mOhm @ 11A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 700 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 60W (Tj) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
BSZ0702LSATMA1 | MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON | 10821 注文の詳細 |
|
SUD25N15-52-E3 | MOSFET N-CH 150V 25A TO252 | 4017 注文の詳細 |
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PSMN8R7-100YSFX | MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56 | 862 注文の詳細 |
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IPD038N06N3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | 1672 注文の詳細 |
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SIS782DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 | 3219 注文の詳細 |
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BUK7528-100A,127 | PFET, 47A I(D), 100V, 0.028OHM, | 6469 注文の詳細 |
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DMP3017SFGQ-13 | MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333 | 3861 注文の詳細 |
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BSH205,215 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 331336 注文の詳細 |
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AOW12N65 | MOSFET N-CH 650V 12A TO262 | 855 注文の詳細 |
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AOWF12N50 | MOSFET N-CH 500V 12A TO262F | 918 注文の詳細 |
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STB75NF20 | MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK | 962 注文の詳細 |
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BSZ120P03NS3GATMA1 | MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON | 2720 注文の詳細 |
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IPB80N06S4L05ATMA1 | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | 917 注文の詳細 |
在庫あり | 16417 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.10000 | $0.1 |
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